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电子元器件详细资料 » IC[27158] » SIS892DN-T1-GE3
型号:SIS892DN-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? 1212-8描述:MOSFET N-CH 100V 1212-8 PPAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 100V 1212-8 PPAK
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)100V
电流_连续漏极(Id)0a025000C30A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C29 毫欧 @ 10A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs21.5nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds611pF @ 50V
功率_最大52W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装PowerPAK? 1212-8
包装剪切带 (CT)

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市壹芯创科技有限公司朱先生0755-82780082
北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司连18922803401
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司江先生086-0755-23607529/23603360/83258002
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SIS892DN-T1-GE3相关型号

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